Общее описание
Кремниевый эпитаксиально планарный полевой с изолированным затвором и горизонтальным каналом n-типа мощный генераторный транзистор выполненный в металлокерамическом корпусе КТ-55Е ГОСТ Р 57439-2017.
Область применения
Транзистор предназначен для использования в усилителях мощности и в выходных каскадах радиоэлектронной аппаратуры.
Основные характеристики
- Диапазон рабочих частот f от 2,7 ГГц до 3,1 ГГц
- Выходная импульсная мощность Pвых. и — 120 Вт
- Коэффициент усиления по мощности Кур — 10 дБ
- КПД стока — 40 % при: напряжении питания UС.пит — 32 В; длительности импульса τи — 300 мкс; скважности Q — 7
Особенности
• Выполнен по LDMOS технологии
• Корпус соответствует зарубежному аналогу SOT502A
• Наличие внутренних цепей согласования
• Отрицательный температурный коэффициент тока стока
• Встроенная защита от электростатического разряда (ESD)
• Отсутствие BeO керамики
• Отсутствие опасных веществ (RoHS)
