logo logo
ИсторияЦентр проектированияНормативные документы
Полупроводниковые приборыИнтегральные микросхемыИзделия фотоэлектроникиКомплексированные изделия
Научно-технический журналАспирантураИнформационные базы данныхЦелевой наборНаучно-технический центр
О комплексеМонтаж печатных платРеализация неликвидаАренда
ПрофсоюзБазовые кафедрыПрактикаМолодежьВакансии
Почта
ИсторияЦентр проектированияНормативные документы
Полупроводниковые приборыИнтегральные микросхемыИзделия фотоэлектроникиКомплексированные изделия
Научно-технический журналАспирантураИнформационные базы данныхЦелевой наборНаучно-технический центр
О комплексеМонтаж печатных платРеализация неликвидаАренда
ПрофсоюзБазовые кафедрыПрактикаМолодежьВакансии
logo logo
  • О «Пульсаре»
    • История
    • Нормативные документы
  • Продукция
    • Полупроводниковые приборы
    • Интегральные микросхемы
    • Изделия фотоэлектроники
    • Комплексированные изделия
  • Наука
    • Научно-технический журнал
    • Аспирантура
    • Информационные базы данных
    • Целевой набор
    • Научно-технический центр
  • Производственный комплекс
    • О комплексе
    • Монтаж печатных плат
    • Реализация неликвида
    • Аренда
  • Карьера
    • Профсоюз
    • Базовые кафедры
    • Практика
    • Молодежь
    • Вакансии
  • Контакты
  • О «Пульсаре»
    • История
    • Нормативные документы
  • Продукция
    • Полупроводниковые приборы
    • Интегральные микросхемы
    • Изделия фотоэлектроники
    • Комплексированные изделия
  • Наука
    • Научно-технический журнал
    • Аспирантура
    • Информационные базы данных
    • Целевой набор
    • Научно-технический центр
  • Производственный комплекс
    • О комплексе
    • Монтаж печатных плат
    • Реализация неликвида
    • Аренда
  • Карьера
    • Профсоюз
    • Базовые кафедры
    • Практика
    • Молодежь
    • Вакансии
  • Контакты
  1. Главная
  2. Продукция
  3. Полупроводниковые приборы
  4. Полевые ВЧ и СВЧ транзисторы

Полевые ВЧ и СВЧ транзисторы

LDMOS мощный генераторный транзистор КТ-44В (1000 МГц 80Вт)
LDMOS мощный генераторный транзистор КТ-44В (1000 МГц 80Вт)
Подробнее
LDMOS мощный генераторный транзистор КТ-81А (1000 МГц 150Вт)
LDMOS мощный генераторный транзистор КТ-81А (1000 МГц 150Вт)
Подробнее
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т647А-2, 2Т647Б-2
Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т647А-2, 2Т647Б-2
Подробнее
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой мощный транзистор 2ПЕ301А
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой мощный транзистор 2ПЕ301А
Подробнее
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой мощный транзистор 2ПЕ301Б1
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой мощный транзистор 2ПЕ301Б1
Подробнее
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой мощный транзистор 2ПЕ301В2
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой мощный транзистор 2ПЕ301В2
Подробнее
  • О «Пульсаре»
    • История
    • Нормативные документы
  • Продукция
    • Полупроводниковые приборы
    • Интегральные микросхемы
    • Изделия фотоэлектроники
    • Комплексированные изделия
  • Наука
    • Научно-технический журнал
    • Аспирантура
    • Информационные базы данных
    • Целевой набор
    • Научно-технический центр
  • Производственный комплекс
    • О комплексе
    • Монтаж печатных плат
    • Реализация неликвида
    • Аренда
  • Карьера
    • Профсоюз
    • Базовые кафедры
    • Практика
    • Молодежь
    • Вакансии
  • Контакты
Контакты
Юридический и почтовый адрес: 105187, г. Москва, Окружной проезд, дом 27
Тел.: (495)-365-12-30 E-mail: administrator@pulsarnpp.ru
НПП «Пульсар»
© 2024 Научно-производственное предприятие «Пульсар»
Сайт https://pulsarnpp.ru/ не собирает и не хранит никакую личную информацию о своих пользователях. Исключением являются сбор и обработка обезличенных данных о посетителях (в т.ч. файлов «cookie») с помощью сервиса интернет-статистики Яндекс Метрика. Политика конфиденциальности Яндекс доступна по по адресу: https://yandex.ru/legal/confidential.