Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т647А-2, 2Т647Б-2, предназначенный для применения в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 1 до 10 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзистора от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы.
Основные электрические параметры при tокр = (25 ± 10) оС
- Обратный ток коллектора IкБо, мА, UкБ = 18 В: 2Т647А-2 — не более 1,0; 2Т647Б-2 — не более 1,0.
- Обратный ток эмиттера IэБо, мА, UэБ = 2 В: 2Т647А-2 — не более 0,2; 2Т647Б-2 — не более 0,2.
- Обратный ток коллектор-эмиттер IкэR, мА, Uкэ = 9 В, RэБ = 1 кОм: 2Т647Б-2 — не более 0,1.
- Статический коэффициент передачи тока һ21Э, Uкэ = 5 В, Iэ = 40 мА: 2Т647Б-2 — не менее 60 и не более 200.
- Выходная мощность (медианное значение) РвыхМе, мВт, UкБ = 15 В, Iк = 60 мА, f = 10 ГГц, Рвх = 100 мВт, tтеплоотв = (25 ± 10) оС: 2Т647А-2 — не менее 200, 2Т647Б-2 — не менее 180.
- Коэффициент усиления по мощности (медианное значение) КурМе, дБ, UкБ = 15 В, Iк = 60 мА, f = 10 ГГц, Рвх = 100 мВт, tтеплоотв = (25 ± 10) оС: 2Т647А-2 — не менее 3,0; 2Т647Б-2 — не менее 2,5.
- Фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте аrg(h21Б), градус, UкБ = 5 В, Iк = 35 мА, f = 1 ГГц, tтеплоотв = (25± 10) оС: 2Т647А-2 — не более 16; 2Т647Б-2 — не более 16.
- Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте |S12Б|, UкБ = 5 В, Iк = 35 мА, f = 100 МГц: 2Т647А-2 — не более 1,6 ·10-3; 2Т647Б-2 — не более 1,6 ·10-3.
- Емкость коллекторного перехода Ск, пФ, UкБ =15 В, f = 10 МГц: 2Т647А-2 — не более 1,5; 2Т647Б-2 — не более 1,5.
