Кремниевые P-I-N фотодиоды большой площади

Общее описание

Кремниевые p-i-n фотодиоды большой площади. Созданы приборы с активной площадью 1,0 см², 2,0 см², 4,0 см². 

Отличительные особенности

• Большая активная площадь (1,0*1,0 см (S=1,0 см²), 1,45*1,45 см (S=2,0 см²), 2,0*2,0 см (S=4,0 см²).
• Приборы изготовлены из высокоомного особочистого кремния n-типа (типовые значения p=2..3 и 4...5 КОм*см) с высоким временем жизни неосновных носителей заряда (более 3 мс)
• Работа в фотовольтаическом либо фотопроводящем режиме
• Минимальные темновые токи, низкие шумы
• Высокая стабильность по времени
• Высокая чувствительность фотодиодов во всем спектральном диапазоне λ=380...1100 нм (η=80%, λ=450 нм)
• Активная поверхность может быть защищена прозрачным покрытием, либо оставлена открытой для α-детектирования.
• Для детекторов рентгеновского и гамма излучений возможна сборка со сцинтилляторами CsI, CdWO₄, PbWO₄, ZnWO₄, BGO.
• Может быть изготовлен закрытый от света детектор ионизирующих излучений