Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n мощный быстродействующий переключательный транзистор типа 2Т866А

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n мощный быстродействующий переключательный транзистор типа 2Т866А в металлокерамическом корпусе, предназначенный для работы в малогабаритных источниках питания ключевого типа, в аппаратуре специального назначения. Чувствителен к статическому электричеству (Δ).

Основные электрические параметры при t_окр = (25 ± 10) ^оС

• Обратный ток коллектора I_кБо, мА, U_кБ = 100 В: не более 25.
• Обратный ток эмиттера I_эБо, мА, U_эБ = 4 В: не более 10.
• Статический коэффициент передачи тока U_кБ = 10 В, I_э = 10 А, t_и = 100 мкс, Q ≥ 200, t_корп = (25 ± 10) °C: не менее 15.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер U_{кэ нас}, В, I_к = 10 А, IБ = 1,0 А, t_корп = (25 ± 10) °C: не более 1,5.
• Время включения t_вкл, нс, U_кЭ = 30 В, I_к = 10 А, I_Б = 1,0 А, t_корп = (25 ± 10) °C: не более 50.
• Время выключения t_выкл, нс, U_кэ = 30 В, I_к = 10 А, I_Б1 = 1,0 А, I_Б2 = 2,0 А, t_корп = (25 ± 10) °C: не более 450.
• Время спада t_сп, нс, U_кэ = 30 В, I_к = 10 А, I_Б1 = 1,0 А, I_Б2 = 2,0 А, t_корп = (25 ± 10) °C: не более 100.