Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n переключательный мощный транзистор типа 2Т874А, 2Т874Б

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n переключательный мощный транзистор типа 2Т874А, 2Т874Б в металлокерамическом корпусе, предназначенный для работы в схемах источников вторичного электропитания и других ключевых схемах. Чувствителен к статическому электричеству (Δ).

Основные электрические параметры

• Обратный ток коллектора I_кБо, мА, U_кБ = 150 В, t_окр = (25 ± 10) °C: 2Т874А — не более 3,0; 2Т874Б — не более 3,0.
• Обратный ток эмиттера I_эБо, мА, U_эБ = 5,0 В, t_окр = (25 ± 10) °C: 2Т874А — не более 10,0; 2Т874Б — не более 10,0.
• Статический коэффициент передачи тока h_21э, U_кэ = 5,0 В, I_к = 30,0 А, t_и = 100 мкс, Q ≥ 200, t_корп = (25 ± 10) °C: 2Т874А — не менее 15,0; 2Т874Б — не менее 10,0.
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер U_{кэ нас}, В, I_к = 30,0 А, I_Б = 5,0 А, t_и = 100 мкс, Q ≥ 200, t_корп = (25 ± 10) °C: 2Т874А — не более 1,0; 2Т874Б — не более 1,0.
• Граничное напряжение U_{кэо гр}, В, I_к = 0,1 А, L = 25 мГн, t_корп = (25 ± 10) °C: 2Т874А — не менее 100,0; 2Т874Б — не менее 120,0.
• Время спада tсп, мкс, Uкэ = 30,0 В, Iк = 30,0 А, IБ1 = IБ2 = 5,0 А, tкор = (25 ± 10)°C: 2Т874А — не более 0,2; 2Т874Б — не более 0,5.
• Время рассасывания t_рас, мкс, U_кэ = 30,0 В, I_к = 30,0 А, I_Б1 = I_Б2 = 5,0 А, t_кор = (25 ± 10)°C: 2Т874А — не более 0,5; 2Т874Б — не более 0,5.