Бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n СВЧ генераторный транзистор 2Т671А-2, предназначенный для работы в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 2,0 до 8,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры.
Основные электрические параметры при tокр = (25±10) оС
- Обратный ток коллектора IкБо, мА, UкБ = 15 В: не более 1.
- Обратный ток эмиттера IэБо, мА, UэБ = 1,5 В: не более 0,4.
- Выходная мощность (медианное значение) Рвых Ме, мВт, Uп = 12 В, Iк = 120 мА, f = 8,5 ГГц, Рвх = 100 мВт: не менее 350.
- Выходная мощность Рвых, мВт, Uп = 12 В, Iк = 120 мА, f = 8,5 ГГц, Рвх = 100 мВт: не менее 300.
- Фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте ατq(һ21б), градус, UкБ = 5 В, Iк = 100 мА, f = 1 ГГц: не более 13.
