Кремниевые эпитаксиально-планарные n-р-n транзисторы типа 2Т3115А-2, 2Т3115Б-2, предназначенные для применения в СВЧ малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы.
Основные электрические параметры при tокр = (25 ± 10) оС
- Минимальный коэффициент шума Кш мин, дБ, UкБ = 7 В, Iэ = 5 мА, f = 5 ГГц для 2Т3115А-2, f = 4 ГГц для 2Т3115Б-2: 2Т3115А-2 — не более 5; 2Т3115Б-2 — не более 3,6.
- Оптимальный коэффициент усиления по мощности Кур опт, дБ, UкБ = 7 В, Iэ = 5 мА, f = 5 ГГц для 2Т3115А-2, f = 4 ГГц для 2Т3115Б-2: 2Т3115А-2 — не менее 5; 2Т3115Б-2 — не менее 6.
- Обратный ток коллектора IкБо, мкА, UкБ = 10 В: 2Т3115А-2 — не более 0,5; 2Т3115Б-2 — не более 0,5.
- Обратный ток эмиттера IэБо, мкА, UэБ = 1 В: 2Т3115А-2 — не более 20; 2Т3115Б-2 — не более 20.
- Статический коэффициент передачи тока һ21Э, UкБ = 5 В, Iэ = 5 мА: 2Т3115А-2 — не менее 15; 2Т3115Б-2 — не менее 15.
