Кремниевый эпитаксиально-планарный р-n-р двухэмиттерный транзистор 2Т118

Кремниевый эпитаксиально-планарный р-n-р двухэмиттерный транзистор типа 2Т118А, 2Т118Б, 2Т118В в металлостеклянном корпусе, предназначенный для работы в ключевых и модуляторных схемах. Чувствителен к статическому электричеству (Δ).

Основные электрические параметры при t_окр = (25 ± 10) ^оС

• Падение напряжения на открытом ключе U_о, мВ,
  I_Б = 0,5 мА, 2Т118А: не более 0,2, 2Т118Б: не более 0,2, 2Т118В: не более 0,15
  I_Б = 1,5 мА, 2Т118А: не более 0,2, 2Т118Б: не более 0,2, 2Т118В: не более 0,15
• Сопротивление открытого ключа τ_о, Ом,
  I_Б = 2,0 мА, I_э = 2,0 мА, 2Т118А: не более 100, 2Т118Б: не более 100, 2Т118В: не более 120
  I_Б = 40 мА, I_э = 20 мА, 2Т118А: не более 20, 2Т118Б: не более 20, 2Т118В: не более 40
• Ток закрытого ключа, мкА,
  U_ээ = 30 В, R_кБ = 10 кОм для 2Т118А: 0,1
  U_ээ = 15 В, R_кБ = 10 кОм для 2Т118Б и 2Т118В: 0,1