Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т640А-2

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т640А-2, предназначенный для применения в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне  частот от 1,0 до 7,2 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры.

Основные электрические параметры при t_кр = (25±10) ^оС

• Обратный ток коллектора, мА, I_кБо, U_кБ = 25 В, t_окр = (25±10) ^оС: не более 1.
• Обратный ток эмиттера, мА, I_эБо, U_эБ = 3 В, t_окр = (25±10) ^оС: не более 0,1.
• Выходная мощность (медианное значение), мВт, Р_{вых Ме}, U_кБ = 15 В, I_к = 45 мА, f = 7 ГГц, Р_вх = 25 мВт: не менее 100.
• Фаза коэффициента передачи тока, градус, ατq(һ21б), U_кБ = 5 В,  I_к = 50 мА, f = 1 ГГц: не более 27.
• Модуль коэффициента обратной передачи напряжения |S12б| в схеме с общей базой на высокой частоте U_кБ = 15 В, I_к = 30 мА,  f = 100 МГц: не более 1,5 10^-3.