Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т642А-2, предназначенный для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 1,0 до 8,15 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры.
Основные электрические параметры при tтепл = (25±10) оС
- Обратный ток коллектора IкБо, мА, UкБ = 20 В, tокр = (25±10) оС: не более 1.
- Обратный ток эмиттера, мА, IэБо, UэБ = 2 В, tокр = (25±10) оС: не более 0,1.
- Выходная мощность (медианное значение) Рвых Ме, мВт, UкБ = 12 В, Iк = 45 мА, ƒ = 8 ГГц, Рвх = 40 мВт: не менее 100.
- Фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте ατq(һ21б), градус, UкБ = 5 В, Iк = 30 мА, ƒ = 1 ГГц: не более 19.
- Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой |S12б|, UкБ = 5 В, Iк = 30 мА, ƒ = 100 МГц: не более 1,8 * 10-3
- Коэффициент полезного действия коллектора (медианное значение) ηк Ме, %, UкБ = 12 В, Iк = 45 мА, ƒ = 8 ГГц, Рвх = 40 мВт: не менее 18.
Примечания
- Фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте связана с граничной частотой коэффициента передачи тока соотношением: ƒгр (МГц) = (57,3 x f)/ατq(һ21б), где ƒ — частота, на которой измеряется ατq(һ21б).
- Отношение напряжения отраженной волны на входе транзистора к напряжению падающей волны на выходе транзистора, включенного в согласованный СВЧ тракт связан с постоянной времени цепи обратной связи соотношением τк = |S12б|/4πf, где ƒ — частота, на которой измеряется |S12б|.
