Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т643А-2, предназначенный для применения в схеме с общей базой в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 2 до 8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры.
Основные электрические параметры при tкр = (25±10) оС
- Обратный ток коллектора IкБо, мА, UкБ = 25 В, tокр = (25±10) оС: не более 1,0.
- Обратный ток эмиттера IэБо, мА, UэБ = 3 В, tокр = (25±10) оС: не более 0,1.
- Выходная мощность (медианное значение) Рвых Ме, мВт, UкБ = 15 В, Iк = 90 мА, ƒ = 7 ГГц, Рвх = 200 мВт: не менее 500.
- Фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте ατq(һ21б), градус, UкБ = 5 В, Iк = 130 мА, ƒ = 1 ГГц: не более 25.
- Модуль коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой |S12б|, UкБ = 5 В, Iк = 50 мА, ƒ = 100 МГц: не более 1,5 10-3.
- Статический коэффициент передачи тока ⱨ21э, UкБ = 10 В, Iэ = 60 мА: не менее 70.
