Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т648А-2

Кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n транзистор типа 2Т648А-2, предназначенный для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот от 1,0 до 12 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры.

Основные электрические параметры при t_кр = (25±10) ^оС

• Обратный ток коллектора I_кБо, мА, U_кБ = 18 В, t_окр = (25±10) ^оС: не более 1.
• Обратный ток эмиттера I_эБо,мА, U_эБ = 2 В, t_окр = (25±10) ^оС: не более 0,2.
• Выходная мощность (медианное значение) Р_{вых Ме}, мВт, U_кБ = 12 В, I_к ≤ 50 мА, ƒ = 12 ГГц,  Р_вх = 25 мВт: не менее 50.
• Коэффициент усиления по мощности (медианное значение) К_{ур Ме}, дБ, U_кБ = 12 В, I_к ≤ 50 мА, ƒ = 12 ГГц,  Р_вх = 25 мВт: не менее 3.

• Фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте ατq(һ21б), градус, U_кБ = 5 В, I_к = 20 мА, ƒ = 1 ГГц: не более 14.