Кремниевый эпитаксиально-планарный бескорпусной n-р-n транзистор 2Т657А-2, предназначенный для применения в схеме с общим эмиттером в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот до 2 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем.
Основные электрические параметры при tокр = (25±10) оС
- Обратный ток коллектор-эмиттер IкэR, мА, Uкэ = 12 В, RэБ= 1 кОм: не более 1.
- Обратный ток эмиттера IэБо, мА, UэБ = 2 В: не более 0,1.
- Выходная мощность, мВт, UкБ = 7 В, Iэ = 45 мА, ƒ = 2 ГГц, δКур ≤ 2 дБ, tкр = (25±10) оС: не менее 50.
- Коэффициент усиления по мощности Кур, дБ, UкБ = 7 В, Iэ = 45 мА, ƒ = 2 ГГц, tкр = (25±10) оС: не менее 8.
- Статический коэффициент передачи тока h21Э, UкБ = 6 В, Iэ = 30 мА: не менее 25.
Примечание — Значение Кур указано в пределах линейного участка амплитудной характеристики.
