Кремниевые эпитаксиально-планарные бескорпусные n-р-n транзисторы 2Т657Б-2, 2Т657В-2, предназначенные для применения в схеме с общим эмиттером в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот до 2 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем.
Основные электрические параметры при tокр = (25±10) оС
- Обратный ток коллектор-эмиттер IкэR, мА, Uкэ = 12 В, RэБ= 1 кОм: 2Т657Б-2 — не более 1; 2Т657В-2 — не более 1.
- Обратный ток эмиттера IэБо, мА, UэБ = 2 В: 2Т657Б-2 — не более 0,1; 2Т657В-2 — не более 0,1.
- Выходная мощность Рвых, мВт, UкБ = 7 В, Iэ = 45 мА, ƒ = 2 ГГц, δКур ≤ 2 дБ, tкр = (25±10) оС: 2Т657Б-2 — не менее 50; 2Т657В-2 — не менее 50.
- Коэффициент усиления по мощности Кур, дБ, UкБ = 7 В, Iэ = 45 мА, ƒ = 2 ГГц, tкр = (25±10) оС: 2Т657Б-2 — не менее 8; 2Т657В-2 — не менее 8.
- Статический коэффициент передачи тока h21Э, UкБ = 6 В, Iэ = 30 мА: 2Т657Б-2 — не менее 6 и не более 200; 2Т657В-2 — не менее 35 и не более 70.
