Бескорпусные кремниевые эпитаксиально-планарные СВЧ малошумящие n-р-n транзисторы 2Т682А-2, 2Т682Б-2, предназначенные для работы в СВЧ малошумящих усилителях в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения.
Основные электрические параметры при tокр = (25 ± 10) оС
- Минимальный коэффициент шума Кш min, дБ, UкБ = 7 В, Iэ = 20 мА, f = 3,6 ГГц: 2Т682А-2 — не более 4; 2Т682Б-2 — не более 4.
- Оптимальный коэффициент усиления по мощности Кур опт, дБ, UкБ = 7 В, Iэ = 20 мА, f = 3,6 ГГц: 2Т682А-2 — не менее 7; 2Т682Б-2 — не менее 7.
- Обратный ток коллектора IкБо, мкА, UкБ = 10 В: 2Т682А-2 — не более 1; 2Т682Б-2 — не более 1.
- Обратный ток эмиттера IэБо, мкА, UэБ = 1 В: 2Т682А-2 — не более 20; 2Т682Б-2 — не более 20.
- Статический коэффициент передачи тока һ21Э, UкБ = 7 В, Iэ = 20 мА: 2Т682А-2 — не менее 40; 2Т682Б-2 — не менее 80.
